Avviso di selezione n°ISM/ASS/004/2019/TV
É indetta una selezione pubblica, per titoli e colloquio, per il conferimento di n. 1 assegno tipologia B) post dottorale, per lo svolgimento di attività di ricerca inerenti l’Area Scientifica "Scienze Fisiche" da svolgersi presso l’Istituto di Struttura della Materia del CNR nell'ambito del Progetto DIONISIO per la seguente tematica: “Studio di interfacce e film sottili per la fabbricazione di capacitori MOS e dispositivi di potenza in GaN e SiC”, sotto la responsabilità scientifica del Dott. Giorgio Contini.
La domanda di partecipazione, redatta esclusivamente utilizzando il modulo (allegato A), dovrà essere inviata all’Istituto di Struttura della Materia, esclusivamente tramite Posta Elettronica Certificata (PEC) all’indirizzo: protocollo.ism@pec.cnr.it entro il15 novembre 2019.
Requisiti e modalità di partecipazione, modulo per presentare la domanda sono contenuti nel bando in allegato.
Istituto di Struttura della Materia
Consiglio Nazionale delle Ricerche
posta certificata: protocollo.ism@pec.cnr.it
www.ism.cnr.it
